MB芯片的定义和特性
定义：金属键是一种专有的UEC芯片。
特点:以高散热系数材料-Si为基材，容易散热。外延层和衬底通过金属层组合，光子被反射以避免衬底的吸收。导电Si衬底代替GaAs衬底，导热性好(导热差3~4倍)，更适合高驱动电流领域。底部的金属反射层有利于增强亮度和散热。可以增加高功率场的大小，比如42milMB。
GB芯片的定义和特性
定义：UEC专li的胶接芯片。
特点:透明蓝宝石衬底取代了可吸收GaAs衬底，光输出功率是传统AS(可吸收结构)芯片的两倍多。蓝宝石衬底类似于TS芯片的GaP衬底。芯片从四个侧面照明，图案极佳。亮度方面，其整体亮度超过TS芯片水平(8.6)mil）。双电极结构，其高电流电阻略低于TS单电极芯片。
定义和特征TS芯片
定义：透明结构芯片，惠普专有产品。
特性：芯片工艺复杂，远高于ASLED。可靠性好。透明GaP衬底，不吸光，亮度高。应用广泛。
定义和特征AS芯片
定义:可吸收结构芯片。经过近40年的发展努力，台湾省LED光电行业这类芯片的研发、生产、销售都处于成熟阶段。可吸收结构与可吸收结构芯片的研发水平基本持平，差距不大。
中国大陆的芯片制造业起步较晚，台湾省的芯片制造业在亮度和可靠性上还存在一定差距。在这里，我们讨论AS芯片，具体指UEC的AS芯片，比如712SOL。-VR、709SOL-VR，712SYM-VR、709SYM-VR等。
特性：采用MOVPE工艺制造的四元件芯片，亮度比传统芯片要高。可靠性好。应用广泛。
2023-06-30
2023-06-16
2023-06-02
2023-05-26
2023-05-19
2023-05-12
